Wolfram-Ziel

Wolfram targets werden haupt sächlich in PVD-Techniken (Physical Vapor Deposition) wie Sputtern verwendet, um dünne Filme auf verschiedenen Oberflächen abzuscheiden. Beim Sputtern werden ionisierte Gas atome zum Wolfram ziel hin beschleunigt, wodurch Atome von der Ziel oberfläche emission iert werden. Diese Atome werden dann auf einem Substrat abgeschieden und bilden einen dünnen Film.

Wolfram targets zeichnen sich durch hohe Schmelzpunkte und eine außer gewöhnliche Beständigkeit gegen Wärme schocks aus, wodurch sie für Hochleistungs-Sputter anwendungen geeignet sind. Das Sputtern mit einem Wolfram ziel wird üblicher weise zur Herstellung harter und verschleiß fester Filme verwendet, wie sie beispiels weise bei der Herstellung von Schneidwerk zeugen und verschleiß festen Oberflächen verwendet werden.

Darüber hinaus werden Wolfram targets bei der Herstellung von Halbleiter materialien verwendet. Wolfram ist ein aus gezeichneter Leiter von Wärme und Elektrizität, was es ideal für den Einsatz in der Mikro elektronik industrie macht. Die hohe Reinheit und Qualität von Wolfram targets sind unerlässlich, um hochwertige und gleichmäßige Dünnschicht beschichtungen mit spezifischen Funktional itäten zu erzielen.

Insgesamt hängt der effiziente Betrieb von PVD-Techniken in hohem Maße von der Qualität und Reinheit des Wolfram-Ziel materials und den verwendeten Verarbeitung parametern ab.

Wolfram targets werden aufgrund ihrer hervorragenden thermischen und mechanischen Eigenschaften üblicher weise in plasma basierten Material verarbeitung stech niken wie Sputtern und Ionen implantation verwendet. Die hohe Oberflächen energie von Wolfram targets kann jedoch zu Problemen mit der Adhäsion und dem Material aufbau führen.

Um diese Probleme zu beheben, können verschiedene Oberflächen modifikation stech niken verwendet werden, um die Oberflächen eigenschaften von Wolfram zielen zu ändern. Beispiels weise kann die Oberfläche von Wolfram targets mit chemischen oder physikalischen Methoden behandelt werden, um die Benetz barkeit der Oberfläche zu verbessern, die Haftung zu verringern und Material bildung zu verhindern.

Eine solche Technik ist die Abscheidung einer Beschichtung mit geringer Oberflächen energie auf der Wolfram ziel oberfläche. Dies kann mit verschiedenen Methoden wie der plasma verstärkten chemischen Gasphase abscheidung (PECVD) oder der physikalischen Dampf abscheidung (PVD) erreicht werden. Die Beschichtung mit geringer Oberflächen energie reduziert die Oberflächen energie von Wolfram targets und trägt dadurch dazu bei, die Haftung von Materialien während der Plasma verarbeitung zu verringern.

Eine andere Technik ist die Oberflächen textur ierung des Wolfram ziels durch Techniken wie Laser ablation oder Schuss peening. Die Texturierung erzeugt eine aufgeraute Oberfläche, die die Benetz barkeit der Oberfläche verbessert, indem die Kontakt fläche zwischen der Ziel oberfläche und den Materialien verringert wird, wodurch die Material haftung minimiert wird.

Insgesamt bieten Oberflächen modifikation stech niken eine viel versprechende Möglichkeit, die Leistung und Lebensdauer von Wolfram zielen zu verbessern, die bei plasma basierten Material verarbeitung stech niken von großer Bedeutung sind.