Kupfer targets werden haupt sächlich in Sputter-und Galvanik anwendungen verwendet, bei denen hochreine Kupfer filme erforderlich sind. Während des Sputter prozesses trifft ein hoch energetischer Ionen strahl auf die Oberfläche des Kupfer ziels und verursacht Kupfer atome. Diese Atome lagern sich dann auf einem Substrat ab und bilden einen dünnen Film.
Der Sputter prozess basiert auf der Ionisation des Sputter gases, typischer weise Argon, das ein Plasma erzeugt, das zur Ziel oberfläche hin beschleunigt wird. Das Plasma ionisiert das gasförmige Argon und erzeugt energie reiche Ionen, die auf das Kupfer ziel einwirken und Sputtern verursachen. Das gesputzte Material wird auf einem Substrat abgeschieden, wodurch ein gleichmäßiger und hochreiner Kupfer film entsteht.
Beim Galvanik prozess wird ein Kupfer target als Anode und ein Substrat als Kathode verwendet. Gleichstrom wird durch eine Kupfersulfat lösung geleitet, um Kupfer auf das Substrat abzuscheiden. Während dieses Prozesses lösen sich Kupferionen vom Ziel auf, wandern zur Kathode und lagern sich auf dem Substrat ab, wobei ein dünner Kupfer film gebildet wird.
Insgesamt hängt der effiziente Betrieb sowohl des Sputter-als auch des Galvanik prozesses in hohem Maße von der Reinheit und Qualität des Kupfer ziel materials ab.
EN
jp 
ko 
fr 
de 
es 
it 
ru 
pt 
ar 
tr 
